ZnO-TFT技術の開発

〜世界最高移動度(50.3cm³/V・sec)のZnO-TFTの開発〜

　現在、液晶ディスプレイの駆動素子として一般的に用いられている非晶質シリコン薄膜トランジスタ(a-Si:TFT)に代わる、 次世代高性能TFT技術として、ZnO-TFTの開発を行っています。
ZnO薄膜の微細構造制御技術、高品質ゲート絶縁膜の形成技術、ソース・ドレイン領域へのコンタクト形成技術等の開発に より、ZnO薄膜結晶構造の特徴を活かしたトップゲート構造ZnO-TFTにて、世界最高の移動度(50.3cm³/V・sec) を有するZnO-TFTの開発に成功しました。
また、今回開発した要素技術を進展させ、61,600画素をZnO-TFTにて駆動する、1.54型アクティブマトリックス液晶ディスプレイ の画像表示に世界で初めて成功しました。今回得られた成果を大きなステップとして、今後はTFTの信頼性や特性分布の改善を 行い、ZnO-TFTを用いたデバイスの早期事業化を目指します。また、ZnO-TFTの持つ潜在的ポテンシャルの応用分野として、 本プロジェクトで開発したTFTを用いた新たな次世代デバイスの研究を推進します。